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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257899B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110115134.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管是由T·德切尔;O·赫贝尔伦;G·普雷希特尔设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：公开了具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管。晶体管器件包括：栅极鳍状物，其是半导体本体的被部署在成对的栅极沟槽之间的分段，成对的栅极沟槽被形成在半导体本体的上表面中；多个二维电荷载流子气沟道，其被部署在栅极鳍状物内的不同的竖向深度处；源极接触和漏极接触，其被布置在栅极鳍状物的在栅极鳍状物的电流流动方向上的任一侧上，源极接触和漏极接触的每个被电连接到二维电荷载流子气沟道中的每个沟道；以及栅极结构，其被配置为控制源极接触和漏极接触之间的导电连接。栅极结构包括：掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区，其覆盖栅极鳍状物并且延伸到栅极沟槽中；以及导电的栅极电极，其被形成在掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区上。

本发明授权具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，包括： 栅极鳍状物，其是半导体本体的被部署在成对的栅极沟槽之间的分段，成对的栅极沟槽的每个被形成在半导体本体的上表面中； 多个二维电荷载流子气沟道，其被部署在栅极鳍状物内的不同的竖向深度处，所述多个二维电荷载流子气沟道中的每个二维电荷载流子气沟道由具有不同的带隙的III族氮化物类型的半导体材料的两个区之间的异质结形成； 源极接触和漏极接触，其被布置在栅极鳍状物的在栅极鳍状物的电流流动方向上的任一侧上，源极接触和漏极接触的每个被电连接到二维电荷载流子气沟道中的每个沟道；以及 栅极结构，其被配置为通过控制栅极鳍状物内的二维电荷载流子气沟道中的每个的导电状态来控制源极接触和漏极接触之间的导电连接； 其中，栅极结构包括： 掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区，其覆盖栅极鳍状物并且延伸到栅极沟槽中； 导电的栅极电极，其被形成在掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区上；以及 一个或多个电流阻断装置，其被配置为防止载流子流入或流出掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区。

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