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龙图腾网获悉南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010083995.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件是由周翔;曾大杰;肖胜安设计研发完成，并于2020-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件，由多个形成原胞并联而成，各原胞都形成在晶圆上的有源区中，各原胞的栅极结构采用沟槽栅，沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于栅极沟槽中的多晶硅栅；多晶硅栅完全填充栅极沟槽时会对晶圆产生对应的第一应力；在俯视面上，有源区分成两个以上的区域块，各区域块中的栅极沟槽呈条形结构且平行排列，相邻两个区域块中的栅极沟槽的条形结构不平行而具有夹角，使相邻两个区域块中的多晶硅栅对晶圆的第一应力的方向不同而使晶圆所受到的各多晶硅栅产生的合应力减少或消失。本发明能提高同一片晶圆上IGBT器件参数的均一性，并从而提高产品良率。

本发明授权IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于：IGBT器件由多个形成原胞并联而成，各所述原胞都形成在晶圆上的有源区中，所述晶圆由半导体衬底组成； 各所述原胞的栅极结构采用沟槽栅，所述沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；所述多晶硅栅完全填充所述栅极沟槽时会对所述晶圆产生对应的第一应力； 在俯视面上，所述有源区分成两个以上的区域块，各所述区域块中的所述栅极沟槽呈条形结构且平行排列，相邻两个所述区域块中的所述栅极沟槽的条形结构不平行而具有夹角，使相邻两个所述区域块中的所述多晶硅栅对所述晶圆的第一应力的方向不同而使所述晶圆所受到的各所述多晶硅栅产生的合应力减少或消失； 所述有源区的俯视面呈矩形结构； 各所述区域块通过对所述有源区的长或宽进行分割形成； 各所述区域块的长相同且宽也相同，各所述区域块的长度大于宽度； 所述IGBT器件还包括N型掺杂的漂移区； 在所述漂移区的表面形成有P型阱区，所述沟槽栅的深度大于所述P型阱区的深度； 沟道区由选定区域的所述P型阱区组成，在所述沟道区的正面表面上形成有N+掺杂的源区，被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述源区顶部通过穿过层间膜的接触孔连接到由正面金属层组成的发射极，所述源区的顶部接触孔的底部还穿过所述源区并和所述沟道区接触； 浮空P型掺杂区由选定区域的所述P型阱区组成，所述浮空P型掺杂区的正面表面上不形成所述源区且不形成所述接触孔并从而为不和电极连接的浮空结构； 空穴流通通道区由选定区域的所述P型阱区组成，所述空穴流通通道区的正面表面上不形成所述源区，所述空穴流通通道区顶部通过穿过层间膜的接触孔连接到所述发射极； 在所述漂移区的背面形成有P+掺杂的集电区； 在所述集电区的背面形成有由背面金属层组成的集电极； 部分所述多晶硅栅顶部都通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极；剩余部分所述多晶硅栅顶部都通过接触孔连接到源极，以调节IGBT器件的电容。

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