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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利逻辑电路和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110982134.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权逻辑电路和半导体器件是由山崎舜平;小山润;津吹将志;野田耕生设计研发完成，并于2010-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本逻辑电路和半导体器件在说明书摘要公布了：逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019原子cm3或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。

本发明授权逻辑电路和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，在显示部分具有：发光元件；位于所述发光元件的下方且与所述发光元件重叠的滤色器；以及位于所述发光元件的下方且与所述发光元件电连接的晶体管， 所述晶体管具有：第一导电层；所述第一导电层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上且具有沟道形成区的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第二绝缘层；具有重叠到所述沟道形成区上的区域的第二导电层；以及第三导电层和第四导电层，与所述氧化物半导体层电连接， 所述显示装置具有所述晶体管上的第三绝缘层， 所述滤色器位于所述第三绝缘层的上方， 所述发光元件具有：位于所述第三绝缘层的上方的第一电极；所述第一电极上的EL层；以及所述EL层上的第二电极， 所述显示装置具有隔壁，该隔壁位于所述第一电极的上方且具有与所述第一电极的上表面接触的区域， 所述第一导电层具有作为所述晶体管的第一栅电极的功能， 所述第二导电层具有作为所述晶体管的第二栅电极的功能， 所述第三导电层具有与所述第二绝缘层的上表面接触的区域， 所述第二绝缘层具有用于连接所述第三导电层和所述氧化物半导体层的第一开口部分， 所述第一开口部分具有与所述第一导电层的重叠， 所述第三绝缘层具有：与所述第二导电层的上表面接触的区域；与所述第三导电层的上表面接触的区域；以及与所述第四导电层的上表面接触的区域， 所述第二导电层、第三导电层和第四导电层具有相同的材料， 所述氧化物半导体层具有铟、镓和锌， 所述隔壁具有与所述沟道形成区重叠的区域。

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