台湾积体电路制造股份有限公司熊德智获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110475799.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制造方法是由熊德智;张亦谆;吴俊德;王谊珍;涂元添;林焕哲设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露；氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁；在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在半导体衬底之上形成栅极结构； 在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层； 执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层中的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露； 氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁； 在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及 在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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