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龙图腾网获悉ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司申请的专利光刻设备、多波长相位调制扫描量测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115698861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180038464.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻设备、多波长相位调制扫描量测系统及方法是由塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩;F·阿尔佩吉安尼;S·R·胡伊斯曼;J·J·M·巴塞曼斯;H·V·考克;M·斯威拉姆;A·J·A·贝克曼设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光刻设备、多波长相位调制扫描量测系统及方法在说明书摘要公布了：一种量测系统，包括辐射源、第一光学系统、第二光学系统和第三光学系统、和处理器。所述第一光学系统将所述辐射分束成辐射的第一束和第二束，并在所述第一束和第二束之间施加一个或更多个相位差。所述第二光学系统朝向目标结构引导所述第一束和第二束以产生辐射的第一散射束和第二散射束。所述第三光学系统使所述第一散射束和第二散射束在成像检测器处发生干涉。成像检测器基于干涉的第一散射束和第二散射束来产生检测信号。所述量测系统基于所施加的一个或更多个相位差来调制所述第一散射束和所述第二散射束的一个或更多个相位差。所述处理器分析所述检测信号以至少基于经调制的一个或更多个相位差来确定所述目标结构的性质。

本发明授权光刻设备、多波长相位调制扫描量测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种量测系统，包括： 辐射源，所述辐射源被配置成产生辐射； 第一光学系统，所述第一光学系统包括至少一个分束器或衍射元件，所述至少一个分束器或衍射元件被配置成将所述辐射至少分束成辐射的第一束和第二束，并在所述第一束和第二束之间施加一个或更多个相位差； 第二光学系统，所述第二光学系统至少包括光学元件，所述光学元件被配置成朝向目标结构引导所述第一束和第二束使得所述第一束和第二束以非零入射角入射到所述目标结构上以产生辐射的第一散射束和第二散射束； 第三光学系统，所述第三光学系统被配置成使所述第一散射束和第二散射束在成像检测器处发生干涉，其中所述成像检测器被配置成基于干涉的第一散射束和第二散射束来产生检测信号，其中所述量测系统被配置成基于所施加的一个或更多个相位差来调制所述第一散射束和所述第二散射束的一个或更多个相位差；以及 处理器，所述处理器被配置成分析所述检测信号以至少基于经调制的所述一个或更多个相位差来确定所述目标结构的性质。

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