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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种AlGaInP基横模半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110915408.1，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权一种AlGaInP基横模半导体激光器及其制备方法是由刘飞;张新;邓桃设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaInP基横模半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种AlGaInP基横模半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Al1‑x1Gax1y1In1‑y1P渐变下波导层、Ga1‑x2Inx2P第一量子阱、Al1‑x3Gax3y2In1‑y2P垒层、Ga1‑x4Inx4P第二量子阱、Al1‑x5Gax5y3In1‑y3P渐变上波导层、Al0.5In0.5P第一上限制层、Al0.5In0.5P第二上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层。本发明提供的AlGaInP基横模半导体激光器增大了Al0.5In0.5P第一上限制层的厚度，降低了Al0.5In0.5P第一上限制层的掺杂浓度，在实现减小横向折射率的差值，稳定基横模，提高kink功率的同时，避免了因增大Al0.5In0.5P第一上限制层厚度后电流扩散对电参数的影响。

本发明授权一种AlGaInP基横模半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaInP基横模半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Al1-x1Gax1y1In1-y1P渐变下波导层、Ga1-x2Inx2P第一量子阱、Al1-x3Gax3y2In1-y2P垒层、Ga1-x4Inx4P第二量子阱、Al1-x5Gax5y3In1-y3P渐变上波导层、Al0.5In0.5P第一上限制层、Al0.5In0.5P第二上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层； 其中，所述Ga1-x2Inx2P第一量子阱的厚度为4-7nm，非故意掺杂，0.3≤x2≤0.5； 所述Al1-x3Gax3y2In1-y2P垒层的厚度为5-15nm，非故意掺杂，0.3≤x3≤0.6,0.4≤y2≤0.6； 所述Ga1-x4Inx4P第二量子阱的厚度为4-7nm，非故意掺杂，0.3≤x4≤0.5； 所述Al1-x5Gax5y3In1-y3P渐变上波导层的厚度为0.05-0.15μm，非故意掺杂，x5由0.05渐变至0.6,0.4≤y3≤0.6； 所述Al0.5In0.5P第一上限制层为P型Al0.5In0.5P第一上限制层，掺杂了镁原子或锌原子，掺杂源为Cp2Mg或DEZn，厚度为0.2-0.5μm，掺杂浓度为2×1017-4×1017个原子cm3。

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