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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司;杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211345071.6，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法是由何荣设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种改善硅片厚外延Si‑Nodule和Crown的工艺方法，所属硅片生产加工技术领域，如下操作步骤：第一步：线切割，切片厚度835μm；第二步：一次倒角，通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形R‑Type；第三步：研磨，研磨去除量65μm；第四步：二次倒角；第五步：酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC醋酸，酸腐蚀去除量30μm，腐蚀后硅片厚度740μm；第六步：中间检查，对硅片正反面进行外观检查；第七步：先进行边缘抛光，然后进行Poly，然后进行LTO，然后腐蚀法去掉边缘LTO，最后进行正面抛光；第八步：抛光去除量15μm，抛光后厚度725μm；第九步：洗净。具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si‑Nodule和Crown的问题。

本发明授权改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种改善硅片厚外延硅结核颗粒和边缘兴起物的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：线切割，切片厚度835μm，采用线切割机进行切割； 第二步：一次倒角，通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形； 第三步：研磨，研磨去除量65μm，研磨后目标厚度770μm，研磨辅材由研磨粉，悬浮液、防锈剂、消泡剂组成，研磨通过下定盘旋转和载体的旋转对硅片进行双面研磨； 第四步：二次倒角，二次倒角决定了硅片的边缘轮廓，而硅片的边缘轮廓对外延后边缘兴起物有影响； 硅片边缘轮廓为T-type类型，T-type参数有A1、A2、R1、R2、BC；调整二次倒角加工参数，A1从670μm增大到760μm，增大A1值，即增大了与正面连接的边缘斜面面积，改善边缘兴起物； 第五步：酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC，酸腐蚀去除量30μm，腐蚀后硅片厚度740μm； 第六步：中间检查，对硅片正反面进行外观检查，采用人工分别在荧光灯、聚光灯下对硅片表面缺陷进行检查； 第七步：先进行边缘抛光，然后通过化学气相沉积在硅片正面和背面生长同样厚度的多晶硅膜，多晶硅膜的厚度为15000Å，然后通过化学气相沉积仅在硅片背面生长二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为4800Å，然后腐蚀法去掉边缘二氧化硅膜，最后进行正面抛光，抛光后背面和边缘膜结构不同，膜结构不同影响了外延硅结核颗粒的发生； 第八步：抛光去除量15μm，抛光后厚度725μm； 第九步：洗净，包括去蜡洗净后最终洗净，先进行去蜡洗净，去除硅片背面蜡残；然后进行最终洗净，最终洗净采用SC1药液进行清洗，达到去除硅片表面沾污的目的。

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