西安电子科技大学陆小力获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247362.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法是由陆小力;何云龙;马晓华;郑雪峰;李园;郝跃设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法，制作方法包括：在β‑Ga2O3衬底上生长β‑Ga2O3UID层；在β‑Ga2O3UID层上生长轻掺杂的β‑Ga2O3沟道层；在β‑Ga2O3沟道层上旋涂重掺杂的SOG介质层；刻蚀掉除欧姆区域外的SOG介质层；在欧姆区域内的SOG介质层上生长源电极和漏电极；在β‑Ga2O3沟道层、源电极、漏电极和SOG介质层上生长Al2O3介质层；在欧姆区域外的Al2O3介质层上生长栅电极；刻蚀掉源电极和漏电极上的Al2O3介质层；在源电极和漏电极上沉积互联金属。本发明制作工艺简单，且制作的器件具有更低欧姆接触导通电阻。
本发明授权一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 在β-Ga2O3衬底上生长β-Ga2O3UID层； 在所述β-Ga2O3UID层上生长轻掺杂的β-Ga2O3沟道层； 在所述β-Ga2O3沟道层上旋涂重掺杂的SOG介质层； 刻蚀掉除欧姆区域外的所述SOG介质层； 在欧姆区域内的所述SOG介质层上生长源电极和漏电极； 在所述β-Ga2O3沟道层、所述源电极、所述漏电极和所述SOG介质层上生长Al2O3介质层； 在欧姆区域外的所述Al2O3介质层上生长栅电极； 刻蚀掉所述源电极和所述漏电极上的所述Al2O3介质层； 在所述源电极、所述漏电极和所述栅电极上沉积互联金属。
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