武汉大学胡志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种顾及高纬地区非绝对零约束的电离层延迟量估测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115755102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211569034.3,技术领域涉及:G01S19/07;该发明授权一种顾及高纬地区非绝对零约束的电离层延迟量估测方法是由胡志刚;刘卓娅;赵齐乐设计研发完成,并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种顾及高纬地区非绝对零约束的电离层延迟量估测方法在说明书摘要公布了:本发明提出了一种顾及高纬地区非绝对零约束的电离层延迟量估测方法。本发明引入多个历史时刻的多个地理位置的电离层穿刺点数据;构建线性化电离层延迟计算模型;将多个历史时刻的多个地理位置依次与纬度阈值比较,得到多个历史时刻的多个高纬度地理位置、多个历史时刻的多个低纬度地理位置;构建低纬度观测方程、高纬度观测方程;将低纬度观测方程、高纬度观测方程联立,求解得到优化后的顾及高纬地区非绝对零约束的电离层模型的参数向量;取实时的每个地理位置的每个电离层穿刺点数据,计算得到实时的地理位置的优化后的电离层延迟量并输出。本发明的优点在于能够明显缓解北斗Klobuchar模型的高纬异常现象,并显著提升北斗Klobuchar模型在南半球的改正性能。
本发明授权一种顾及高纬地区非绝对零约束的电离层延迟量估测方法在权利要求书中公布了:1.一种顾及高纬地区非绝对零约束的电离层延迟量估测方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1:引入多个历史时刻的多个地理位置的电离层穿刺点数据; 步骤2:结合多个历史时刻的多个地理位置的电离层穿刺点数据,构建线性化电离层延迟计算模型; 步骤3:将多个历史时刻的多个地理位置依次与纬度阈值比较,得到多个历史时刻的多个高纬度地理位置、多个历史时刻的多个低纬度地理位置; 步骤4:将多个历史时刻的多个低纬度地理位置的电离层穿刺点数据作为输入数据,结合线性化电离层延迟计算模型构建低纬度观测方程;将多个历史时刻的多个高纬度地理位置的电离层穿刺点数据作为输入数据,结合线性化电离层延迟计算模型、振幅约束模型构建高纬度观测方程;将低纬度观测方程、高纬度观测方程联立,通过最小二乘迭代求解,得到优化后的顾及高纬地区非绝对零约束的电离层模型的参数向量; 步骤5:获取实时的每个地理位置的每个电离层穿刺点数据,结合优化后的顾及高纬地区非绝对零约束的电离层模型的参数向量计算,得到实时的地理位置的优化后的电离层延迟量并输出。
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