錼创显示科技股份有限公司萧瑜萱获国家专利权
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龙图腾网获悉錼创显示科技股份有限公司申请的专利微型半导体元件以及微型半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211428047.9，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权微型半导体元件以及微型半导体结构是由萧瑜萱;赖腾宪;林子旸设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型半导体元件以及微型半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型半导体元件以及微型半导体结构。微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。本发明的微型半导体元件可让外部光对磊晶结构的影响最小化，以确保磊晶结构本身的特性，可具有较佳的结构可靠度。
本发明授权微型半导体元件以及微型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种微型半导体元件，其特征在于，包括： 磊晶结构；以及 光学层，固定配置于所述磊晶结构上，所述光学层为奇数层膜结构，且包括第一膜层、第二膜层以及配置于所述第一膜层与所述第二膜层之间的第三膜层，其中所述第一膜层的折射率与所述第二膜层的折射率皆大于所述第三膜层的折射率，而所述第三膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度与所述第二膜层的厚度，所述第一膜层与所述第二膜层的折射率、厚度及材质至少其中一者不同，且所述光学层对所述微型半导体元件的外部光的反射率大于所述微型半导体元件的所述磊晶结构的自发光。
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