三菱电机株式会社小西和也获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211102670.5，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体装置是由小西和也;古川彰彦;西康一;藤井秀纪;曾根田真也;小西康雄设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供使dVdt的控制性提高，降低了导通损耗的半导体装置。在共通的半导体基板形成晶体管和二极管，具有晶体管区域和二极管区域，二极管区域具有：n型的第1半导体层，其设置于半导体基板的第2主面侧；n型的第2半导体层，其设置于第1半导体层之上；p型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于半导体基板的第1主面侧；第1主电极，其对二极管赋予第1电位；第2主电极，其对二极管赋予第2电位；以及哑有源沟槽栅极，其是以从半导体基板的第1主面到达第2半导体层的方式设置的，哑有源沟槽栅极在两个侧面的至少一者侧具有未被赋予第1电位而是成为浮置状态的第3半导体层，对哑有源沟槽栅极赋予晶体管的栅极电位。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其在共通的半导体基板形成了晶体管和二极管，其中， 所述半导体基板具有： 晶体管区域，其形成有所述晶体管；以及 二极管区域，其形成有所述二极管， 所述二极管区域具有： 第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧； 第1导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上； 第2导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基板的第1主面侧； 第1主电极，其对所述二极管赋予第1电位； 第2主电极，其对所述二极管赋予第2电位；以及 至少1个哑有源沟槽栅极，其设置为从所述半导体基板的所述第1主面到达所述第2半导体层， 所述至少1个哑有源沟槽栅极在两个侧面的至少一者侧具有未被赋予所述第1电位而是成为浮置状态的所述第3半导体层， 对所述至少1个哑有源沟槽栅极赋予所述晶体管的栅极电位。
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