中山大学朱凡获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于TMR磁传感器的漏磁检测实验装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224095768U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520732166.6，技术领域涉及：G01N27/83；该实用新型一种基于TMR磁传感器的漏磁检测实验装置是由朱凡;陈艳;唐华丰;许洛;杨山清设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于TMR磁传感器的漏磁检测实验装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于TMR磁传感器的漏磁检测实验装置，包括：磁介质材料、磁化材料、磁场传感器和数据终端；磁化材料靠近磁介质材料设置，用于磁化磁介质材料；磁介质材料上间隔设置有多处不同的漏磁缺陷用于引发多种磁场强度的漏磁场；磁场传感器与磁介质材料靠近且相对活动设置，磁场传感器用于与磁介质材料保持固定距离并依次经过多处漏磁缺陷进行磁场强度探测，或用于通过调整与某处漏磁缺陷的距离，测量不同距离下该处漏磁缺陷的磁场强度；数据终端与磁场传感器电连接，用于处理、采集和显示磁场传感器所探测的磁场强度数据。该实验装置通过改变磁介质材料的漏磁缺陷的几何特征以及磁场传感器的提离值，得到磁场与这些因素的规律。
本实用新型一种基于TMR磁传感器的漏磁检测实验装置在权利要求书中公布了：1.一种基于TMR磁传感器的漏磁检测实验装置，其特征在于，包括：磁介质材料、磁化材料、磁场传感器和数据终端； 所述磁化材料靠近所述磁介质材料设置，用于磁化所述磁介质材料； 所述磁介质材料上间隔设置有多处不同的漏磁缺陷用于引发多种磁场强度的漏磁场； 所述磁场传感器与所述磁介质材料靠近且相对活动设置，所述磁场传感器用于与所述磁介质材料保持固定距离并依次经过多处所述漏磁缺陷进行磁场强度探测，或用于通过调整与某处所述漏磁缺陷的距离，测量不同距离下该处所述漏磁缺陷的磁场强度； 所述数据终端与所述磁场传感器电连接，用于处理、采集和显示所述磁场传感器所探测的磁场强度数据。
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