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龙图腾网获悉赛米控电子股份有限公司申请的专利功率半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110255501.4，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权功率半导体模块是由约翰尼斯·克利尔设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率半导体模块，其具有基底和功率半导体开关，其中，所述基底具有内部金属化负载层区域、第一和第二外部金属化负载层区域以及第一和第二中间金属化负载层区域，其中，所述第一中间金属化层负载层区域被布置在所述内部金属化负载层区域与所述第一外部金属化负载层区域之间，并且所述第二中间金属化负载层区域被布置在所述内部金属化负载层区域与所述第二外部金属化负载层区域之间，其中，第一组和第二组的功率半导体开关被布置在所述内部金属化负载层区域上，第三组的功率半导体开关被布置在所述第一中间金属化负载层区域上，并且第四组的功率半导体开关被布置在所述第二中间金属化负载层区域上。

本发明授权功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块，所述功率半导体模块具有基底2，所述基底2包括不导电的绝缘层3和布置在所述绝缘层3上的金属化负载层区域MI，MA1，MA2，MZ1，MZ2，并且所述功率半导体模块具有功率半导体开关T，每个所述功率半导体开关T均包括第一负载电流端子C和第二负载电流端子E以及控制端子G，其中，所述基底2具有：内部金属化负载层区域MI，所述内部金属化负载层区域MI在纵向方向L上延伸；第一外部金属化负载层区域MA1和第二外部金属化负载层区域MA2，所述第一外部金属化负载层区域MA1和所述第二外部金属化负载层区域MA2在所述纵向方向L上延伸；以及第一中间金属化负载层区域MZ1和第二中间金属化负载层区域MZ2，所述第一中间金属化负载层区域MZ1和第二中间金属化负载层区域MZ2在所述纵向方向L上延伸且彼此导电地连接起来；其中，在垂直于所述纵向方向L的横向方向Q上，所述第一中间金属化负载层区域MZ1被布置在所述内部金属化负载层区域MI与所述第一外部金属化负载层区域MA1之间，并且所述第二中间金属化负载层区域MZ2被布置在所述内部金属化负载层区域MI与所述第二外部金属化负载层区域MA2之间，其中，所述功率半导体开关T中的第一组功率半导体开关P1和第二组功率半导体开关P2被设置用以实现半桥电路6的第一臂A1，其中，所述功率半导体开关T中的第三组功率半导体开关P3和第四组功率半导体开关P4被设置用以实现所述半桥电路6的第二臂A2，其中，所述功率半导体开关T中的所述第一组功率半导体开关P1和所述第二组功率半导体开关P2被布置在所述内部金属化负载层区域MI上，并且所述功率半导体开关T中的所述第一组功率半导体开关P1和所述第二组功率半导体开关P2的所述第一负载电流连接部C与所述内部金属化负载层区域MI导电地接触，其中，所述第一组功率半导体开关P1中的所述功率半导体开关T的所述第二负载电流端子E被导电地连接到所述第一中间金属化负载层区域MZ1，并且所述第二组功率半导体开关P2中的所述功率半导体开关T的所述第二负载电流端子E被导电地连接到所述第二中间金属化负载层区域MZ2，其中，所述功率半导体开关T中的所述第三组功率半导体开关P3被布置在所述第一中间金属化负载层区域MZ1上，并且所述功率半导体开关T中的所述第三组功率半导体开关P3的所述第一负载电流端子C与所述第一中间金属化负载层区域MZ1导电地接触，其中，所述第三组功率半导体开关P3中的所述功率半导体开关T的所述第二负载电流端子E被导电地连接到所述第一外部金属化负载层区域MA1，其中，所述功率半导体开关T中的所述第四组功率半导体开关P4布置在所述第二中间金属化负载层区域MZ2上，并且所述功率半导体开关T中的所述第四组功率半导体开关P4的所述第一负载电流端子C与所述第二中间金属化负载层区域MZ2导电地接触，其中，所述第四组功率半导体开关P4的所述功率半导体开关T的所述第二负载电流端子E被导电地连接到所述第二外部金属化负载层区域MA2。

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