美光科技公司J·F·施雷克获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于电气距离的被动补偿获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113674783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110479264.X，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权用于电气距离的被动补偿是由J·F·施雷克;H·吉杜图里设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于电气距离的被动补偿在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于电气距离的被动补偿。一种存储器装置的架构可利用针对存储器单元的传输路径电阻补偿方案，以减小存取存储器单元时寄生负载的影响。此存储器装置的存储器单元可经历包含与所述存储器单元的相应存取线相关联的传输路径电阻和附加补偿电阻在内的总电阻。前述存储器装置可利用尖峰缓解方案来缓解电压和或冲击电流对所述存储器装置的附近存储器单元的有害影响。另外，尖峰缓解电路可包含耦合相应解码器附近的存取线上的电阻器。此外，尖峰缓解电路可包含耦合所述解码器之间的电阻器。
本发明授权用于电气距离的被动补偿在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 存储器阵列，其包括安置于所述存储器阵列的多个存取线的至少两个存取线之间的多个存储器单元， 其中：所述多个存取线中的第一存取线包括经配置以在目标存储器单元的第一侧上提供对所述多个存储器单元的所述目标存储器单元的存取的第一电流路径，其中所述第一电流路径包括与存取所述目标存储器单元相关联的第一寄生电阻；以及 所述多个存取线中的第二存取线包括经配置以在所述目标存储器单元的第二侧上提供对所述目标存储器单元的存取的第二电流路径，其中所述第二存取线包括在所述多个存储器单元中的至少两个存储器单元之间与所述第二存取线耦合的第一一或多个补偿元件，并且经配置以在提供对所述目标存储器单元的存取时提供第一补偿电阻，且其中所述第二电流路径包括与存取所述目标存储器单元相关联的第二寄生电阻。
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