中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))柳月波获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利耗尽电压获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111367378.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权耗尽电压获取方法是由柳月波;赖灿雄;杨少华;路国光设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本耗尽电压获取方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容‑反向偏置电压特性曲线；获取电容‑反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到半导体器件的二阶微分特性曲线；根据半导体器件的二阶微分特性曲线，获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，此方法简单直观，可以快速获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，方便研发人员使用此方法进行快速试验，加快研发进展，提升企业研发竞争力。
本发明授权耗尽电压获取方法在权利要求书中公布了：1.一种耗尽电压获取方法，其特征在于，所述耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，所述耗尽电压获取方法包括： 获取所述半导体器件的电容-反向偏置电压特性曲线； 获取所述电容-反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到所述半导体器件的二阶微分特性曲线； 根据所述半导体器件的二阶微分特性曲线，获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压； 所述根据所述半导体器件的二阶微分特性曲线，获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压包括：建立二维坐标系，所述二维坐标系的横坐标为反向偏置电压，所述二阶微分特性曲线具有波峰，且所述二阶微分特性曲线与所述二维坐标系的横坐标具有多个交点，所述交点位于所述波峰相对的两侧；所述波峰邻近所述二维坐标系原点一侧的所述交点的横坐标值即为获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励