株式会社迪思科平田和也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114535815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111292261.1，技术领域涉及：B23K26/36；该发明授权晶片的生成方法是由平田和也设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的生成方法，能够降低在后续工序中在晶片的外周区域产生缺损的可能性。仅对被加工物的除去外周区域之外的中央区域照射激光束而形成剥离层，该外周区域是从被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域。在该情况下，不会由于激光束的照射而在被加工物的外周区域形成剥离层，防止在被加工物的外周面形成烧蚀痕。其结果是，能够降低在对从该被加工物剥离的晶片进行后续工序时在该晶片的外周区域产生缺损的可能性。
本发明授权晶片的生成方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的生成方法，从作为单晶SiC锭或单晶SiC晶片的被加工物生成晶片，该被加工物具有第一面和作为该第一面的背面的第二面，该晶片具有小于该第一面与该第二面之间的间隔的厚度，其特征在于， 该晶片的生成方法包含如下的步骤： 剥离层形成步骤，将透过该被加工物的波长的激光束的聚光点定位于该被加工物的内部，并且一边沿着平行于该被加工物的c面的面与该第一面所交叉的交叉线使该被加工物和该聚光点相对地移动一边照射该激光束，形成包含改质部和从该改质部沿着该c面延伸的裂纹的剥离层；以及 晶片剥离步骤，沿着该剥离层将该被加工物分离而从该被加工物剥离该晶片， 在该剥离层形成步骤中，仅在将该聚光点定位于该被加工物的除去外周区域之外的中央区域的状态下照射该激光束，该外周区域是从该被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域， 在该晶片剥离步骤中，对该被加工物赋予超声波振动而使该裂纹不仅进展至该中央区域，而且进展至该外周区域，由此使该被加工物分离而从该被加工物剥离该晶片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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