株式会社大阪钛技术竹下浩树获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社大阪钛技术申请的专利硅系活性物质粒体以及硅系活性物质前体粒体和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021088.3，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权硅系活性物质粒体以及硅系活性物质前体粒体和其制造方法是由竹下浩树;柏谷悠介设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅系活性物质粒体以及硅系活性物质前体粒体和其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供离子导入能力优秀的活性物质粒子。本发明的硅系活性物质粒体具有层构造。需要说明的是，此处所说的“硅系活性物质粒体”例如为锂离子二次电池的负极形成用的活性物质粒体。作为锂离子二次电池的负极形成用的活性物质粒体，例如为：硅Si、或氧化硅SiOx、含有锂Li等碱金属元素或镁Mg等碱土金属元素的含金属元素氧化硅、硅合金等，所谓的Si系活性物质。另外，在该活性物质粒体中，层的厚度优选在1μm以下。另外，在此，层的厚度在此优选为0.01μm以上。
本发明授权硅系活性物质粒体以及硅系活性物质前体粒体和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅系活性物质粒体，其中， 所述硅系活性物质粒体具有层构造， 构成所述层构造的全部的层由硅系物质构成， 所述硅系物质为氧化硅或含金属元素氧化硅， 所述层构造的各层的厚度为0.2μm以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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