江苏芯德半导体科技股份有限公司龙欣江获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利晶圆级半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121522824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610037462.3，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权晶圆级半导体封装结构及其制备方法是由龙欣江;谢雨龙;黄健;徐冬平;陈文军设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆级半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种晶圆级半导体封装结构及其制备方法，涉及光电封装技术领域，晶圆级半导体封装结构包括光芯片、光反射层、塑封层和电芯片，相较于现有技术，本发明实施例采用了侧壁开口的空腔结构，在空腔上方形成有光反射层来反射光信号，因此光信号可以直接从侧向传导，因此无需制作复杂的光学结构，结构简单，降低了制作难度和加工成本，缩短了加工周期。同时也避免了因为光学结构折射率与透光率不足导致的信号损失，降低了传输信号损失，提升了传输效率。
本发明授权晶圆级半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级半导体封装结构，其特征在于，包括： 光芯片，一侧边缘设置有光口结构，所述光口结构包括第一光学面，所述第一光学面暴露于所述光芯片的正面，并延伸至光芯片的正面边缘； 光反射层，设置在所述光芯片的正面，并与所述第一光学面对应，且所述光反射层与所述第一光学面之间形成有反射空腔，所述反射空腔延伸至所述光芯片的正面边缘，并具有光学开口，所述光学开口的开口方向平行于所述光芯片的正面，所述光反射层被配置为反射光信号； 塑封层，至少设置在所述光芯片的正面，并包覆所述光反射层； 所述光口结构还包括第二光学面，所述第二光学面与所述第一光学面相邻设置，并暴露于所述光芯片的侧壁，所述光学开口接合至所述第二光学面； 其中，所述第一光学面和所述第二光学面均可以实现光信号的侧向传导，所述第二光学面沿竖直方向暴露于所述光芯片的侧壁，所述第一光学面沿水平方向暴露于所述光芯片的正面，所述第二光学面与所述第一光学面相垂直。
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