深圳市大族微电子科技有限公司黄兴盛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市大族微电子科技有限公司申请的专利陶瓷基板的孔结构加工方法、控制器、设备和陶瓷线路板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121692535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610198918.4，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权陶瓷基板的孔结构加工方法、控制器、设备和陶瓷线路板是由黄兴盛;杨雅菲;陈国栋;吕洪杰设计研发完成，并于2026-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本陶瓷基板的孔结构加工方法、控制器、设备和陶瓷线路板在说明书摘要公布了：本申请适用于激光加工技术领域，提供了一种陶瓷基板的孔结构加工方法、控制器、设备和陶瓷线路板。其中，所述陶瓷基板的孔结构加工方法包括：获取孔结构的加工参数；在孔位置加工具有孔外轮廓和目标加工深度的孔结构；其中，孔结构加工过程为多次分层加工，多次分层加工中第一分层的加工过程包括：使用第一激光按照第一加工深度沿与孔外轮廓相匹配的加工路径进行激光绕切加工，使用第二激光按照小于第一加工深度的第二加工深度沿孔外轮廓的围合区域进行激光扫描加工；多次分层加工后，第一加工深度的累加值大于或等于目标加工深度，第二加工深度的累加值大于或等于目标加工深度。本申请的实施例能够在陶瓷材料层上有效地加工出符合需求的孔结构。
本发明授权陶瓷基板的孔结构加工方法、控制器、设备和陶瓷线路板在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷基板的孔结构加工方法，其特征在于，所述陶瓷基板的孔结构加工方法应用于陶瓷基板的陶瓷材料层上加工孔结构，所述陶瓷基板的孔结构加工方法包括： 获取孔结构的加工参数，所述加工参数包括孔位置、目标加工深度、孔外轮廓； 在所述孔位置加工具有所述孔外轮廓和所述目标加工深度的孔结构；其中，所述孔结构加工过程为多次分层加工，每次加工对应一个分层，所述多次分层加工的分层包括第一分层，且第一分层的加工过程包括：使用第一激光按照第一加工深度沿与所述孔外轮廓相匹配的加工路径进行激光绕切加工，使用第二激光按照第二加工深度沿所述孔外轮廓的围合区域进行激光扫描加工，所述第一加工深度大于所述第二加工深度；所述多次分层加工后，所述第一加工深度的累加值大于或等于所述目标加工深度，所述第二加工深度的累加值大于或等于所述目标加工深度。
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