武汉辰光辉天科技有限公司毛艾华获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉辰光辉天科技有限公司申请的专利一种基于MPCVD的大尺寸多晶金刚石合成装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224100661U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520892120.0，技术领域涉及：B01J3/06；该实用新型一种基于MPCVD的大尺寸多晶金刚石合成装置是由毛艾华设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于MPCVD的大尺寸多晶金刚石合成装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于MPCVD的大尺寸多晶金刚石合成装置，包括设备箱，所述设备箱内置微波等离子体，所述设备箱的外壁等距安装有四个挤压机构，所述设备箱的顶部和底部均安装有挤压机构，所述设备箱的内壁安装有锥形壳体，所述锥形壳体为倾斜设置，所述锥形壳体的底部固定有连杆，所述连杆固定在设备箱内壁，且锥形壳体顶部贯穿，所述锥形壳体的外壁顶部倾斜固定有挡环，所述挡环上开设有缺口，所述设备箱的外壁对应挡环缺口的位置开设有开口，且开口处通过铰链安装有箱门，所述设备箱的内壁远离挡环上缺口的位置安装有顶出件。本实用新型打开箱门，有效解决背景技术提出的问题，方便MPCVD多晶金刚石的导出，安全方便。
本实用新型一种基于MPCVD的大尺寸多晶金刚石合成装置在权利要求书中公布了：1.一种基于MPCVD的大尺寸多晶金刚石合成装置，包括设备箱1，所述设备箱1内置微波等离子体，其特征在于，所述设备箱1的外壁等距安装有四个挤压机构7，所述设备箱1的顶部和底部均安装有挤压机构7，所述设备箱1的内壁安装有锥形壳体11，所述锥形壳体11为倾斜设置，所述锥形壳体11的底部固定有连杆12，所述连杆12固定在设备箱1内壁，且锥形壳体11顶部贯穿，所述锥形壳体11的外壁顶部倾斜固定有挡环13，所述挡环13上开设有缺口，所述设备箱1的外壁对应挡环13缺口的位置开设有开口3，且开口3处通过铰链安装有箱门4，所述设备箱1的内壁远离挡环13上缺口的位置安装有顶出件。
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