北京飓芯科技有限公司宗华获国家专利权
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龙图腾网获悉北京飓芯科技有限公司申请的专利一种量子阱结构及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310249001.9，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种量子阱结构及其生长方法是由宗华;付建波;蒋盛翔;胡晓东;罗郑彪设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子阱结构及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种量子阱结构及其生长方法。本发明通过在结晶恢复层中设置第一结晶恢复层来恢复由于下波导生长带来的结晶质量差和界面平整度差的问题，设置第一氮空位捕获层来捕获第一结晶恢复层产生的大量氮空位，设置第二结晶恢复层来恢复第一氮空位捕获层生长后的晶体质量和界面，设置第二氮空位捕获层来捕获氮空位，进一步减少氮空位，设置第三结晶恢复层恢复第二氮空位捕获层生长后的晶体质量和界面。其中结晶恢复层的温度渐变降低，这样可以在提高结晶质量和界面平整度的同时降低氮空位数量，有效的减少氮空位向量子阱内扩散，进而减少非辐射复合中心，进而提高有源层内量子阱发光效率。
本发明授权一种量子阱结构及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种量子阱结构，其特征在于：自下而上依次包括下波导层4、结晶恢复层5、多量子阱发光层6； 所述结晶恢复层5包括第一结晶恢复层51、第一氮空位捕获层52、第二结晶恢复层53、第二氮空位捕获层54和第三结晶恢复层55； 第一结晶恢复层51的生长温度大于第二结晶恢复层53的生长温度，第二结晶恢复层53的生长温度大于第三结晶恢复层55的生长温度。
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