台湾积体电路制造股份有限公司黄晖闵获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成接合组件的方法以及用于形成接合组件的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118692883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410334924.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权形成接合组件的方法以及用于形成接合组件的装置是由黄晖闵;詹凯钧;邱致远;郑明达;安兰·艾登设计研发完成，并于2024-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成接合组件的方法以及用于形成接合组件的装置在说明书摘要公布了：根据本申请的实施例，提供了形成接合组件的方法，可以通过如下方法形成接合组件：在低氧环境中提供包括至少第一封装衬底和第二封装衬底的晶圆；在所具有的氧分压低于17kPa的低氧环境中在第一封装衬底上实施第一衬底处理工艺的同时，在低氧环境中在第一半导体封装件上实施第一等离子体封装件处理工艺；以及在第二封装衬底上实施第二衬底处理工艺的同时、以及在将第一半导体封装件接合至第一封装衬底的同时，在第二半导体封装件上实施第二等离子体封装件处理工艺。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成接合组件的装置。
本发明授权形成接合组件的方法以及用于形成接合组件的装置在权利要求书中公布了：1.一种形成接合组件的方法，所述方法包括： 在所具有的氧分压低于17kPa的低氧环境中提供至少第一封装衬底和第二封装衬底； 在所述低氧环境中提供至少第一半导体封装件和第二半导体封装件； 在所述低氧环境中用第一等离子体处理系统在所述第一封装衬底上实施第一衬底处理工艺的同时，在所述低氧环境中用第二等离子体处理系统在所述第一半导体封装件上实施第一等离子体封装件处理工艺； 将所述第一等离子体处理系统从所述第一封装衬底上方的位置移动到所述第二封装衬底上方的位置；以及 在用所述第一等离子体处理系统对所述第二封装衬底上实施第二衬底处理工艺的同时、以及在将所述第一半导体封装件接合至所述第一封装衬底的同时，用所述第二等离子体处理系统在所述第二半导体封装件上实施第二等离子体封装件处理工艺。
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