长鑫存储技术有限公司王春阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利键合结构及其形成方法、键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310509327.0，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权键合结构及其形成方法、键合方法是由王春阳;陈小龙;王少伟;吴双双;邵波;刘小平设计研发完成，并于2023-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合结构及其形成方法、键合方法在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种键合结构及其形成方法、键合方法，该键合结构包括第一介质层、金属互连线、导电连接部、第一阻挡层、第二介质层以及键合部，其中：金属互连线嵌设于第一介质层内；导电连接部穿设于第一介质层内，且其一端与金属互连线连接，另一端与第一介质层的顶面齐平；第一阻挡层覆盖第一介质层和导电连接部的表面；第二介质层覆盖第一阻挡层的表面；键合部贯穿第一阻挡层和第二介质层，并与导电连接部远离金属互连线的端部连接，键合部呈环形，且键合部在导电连接部上的正投影覆盖导电连接部的边缘区域。本公开的键合结构可减少键合缺陷，提高产品良率。
本发明授权键合结构及其形成方法、键合方法在权利要求书中公布了：1.一种键合结构，其特征在于，包括： 第一介质层以及嵌设于所述第一介质层内的金属互连线； 导电连接部，穿设于所述第一介质层内，且其一端与所述金属互连线连接，另一端与所述第一介质层的顶面齐平； 第一阻挡层，覆盖所述第一介质层和所述导电连接部的表面； 第二介质层，覆盖所述第一阻挡层的表面； 键合部，贯穿所述第一阻挡层和所述第二介质层，并与所述导电连接部远离所述金属互连线的端部连接，所述键合部呈环形，且所述键合部在所述导电连接部上的正投影覆盖所述导电连接部的边缘区域，所述键合部包括内环和外环，构成所述键合部的材料位于所述内环和所述外环之间，且所述内环的内部和所述外环以外的区域被均被所述第二介质层填满。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励