北京超弦存储器研究院于春龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利掩膜版及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119179228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310746085.7，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权掩膜版及其设计方法是由于春龙设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版及其设计方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种掩膜版及其设计方法。在本申请实施例所提供掩膜版中，对于包括至少两个目标图形的图形阵列而言，由于每个目标图形的角部均设置有至少一个与侧边所在直线之间的夹角呈锐角或钝角的第二辅助图形，且第二辅助图形与相邻的角部之间的距离小于第一辅助图形与相邻的侧边之间的距离，能够提升角部附近辅助图形的排布密度，从而在曝光的过程中，有助于改善目标图形角部附近的光强分布，有利于减小角部的圆角化程度，能够提高曝光后光刻胶层形成的图形与目标图形的匹配程度。同时，能够增大每个目标图形外围的辅助图形的排布密度，有助于增大曝光过程中的聚焦深度，能够进一步提高曝光后光刻胶层形成的图形与目标图形的匹配程度。
本发明授权掩膜版及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版，其特征在于，包括： 至少两个目标图形，所述目标图形包括至少两个角部和至少两个侧边； 至少两个第一辅助组合图形，每个所述第一辅助组合图形环绕在一个所述目标图形外围，所述第一辅助组合图形包括至少两个第一辅助图形和至少两个第二辅助图形；每个所述侧边的外侧设置有一个所述第一辅助图形，所述第一辅助图形平行于相邻的所述侧边；每个所述角部的外侧设置有一个所述第二辅助图形，所述第二辅助图形所在直线与所述侧边所在直线之间的夹角为锐角或钝角；所述第二辅助图形与相邻的所述角部之间的距离，小于所述第一辅助图形与相邻的所述侧边之间的距离； 至少一个第二辅助组合图形，环绕在所有第一辅助组合图形的外围。
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