武汉理工大学解晶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利碳化硼基仿生叠层陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119528580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411679456.5，技术领域涉及：C04B35/563；该发明授权碳化硼基仿生叠层陶瓷材料及其制备方法是由解晶晶;李英杰;陈希诏;王为民;王荣杰设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硼基仿生叠层陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硼基仿生叠层陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳化硼粉体、碳化钛粉体和硼粉以无水乙醇为介质混合，混合料浆经过旋转蒸发后，在真空干燥箱内烘干后过筛造粒，得到A、B三元混合粉体；S2、将A、B三元混合粉体依次平铺装入石墨模具中，形成“A‑B‑A”型三层结构，在真空条件下进行高温压力烧结制备出碳化硼基仿生叠层陶瓷材料。本发明利用原位合成反应放出的能量和高活性生成产物，促进致密化，细化晶粒尺寸；同时采用仿生叠层结构，为陶瓷提供额外强化机制，解决碳化硼基陶瓷弯曲强度、硬度、断裂韧性无法协同增长问题，生产工艺简单、制备成本低，提高碳化硼陶瓷的力学性能，所得产品同时具备低密度、高强度、高硬度特点。
本发明授权碳化硼基仿生叠层陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硼基仿生叠层陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将碳化硼粉体、碳化钛粉体和硼粉以无水乙醇为介质混合，混合料浆经过旋转蒸发后，在真空干燥箱内烘干后过筛造粒，得到A、B三元混合粉体； S2、将A、B三元混合粉体依次平铺装入石墨模具中，形成“A-B-A”型三层结构，在真空条件下进行高温压力烧结制备出碳化硼基仿生叠层陶瓷材料； 所述碳化硼粉体、碳化钛粉体和硼粉的原料粉体混合物按重量百分比计，包括碳化硼粉体64.11wt%-82.03wt%，碳化钛粉体8.60wt%-17.22wt%，硼粉9.37wt%-18.67wt%；且B粉中，碳化钛粉体含量比A粉中碳化钛含量高4.3-4.32wt%，硼粉含量高4.64-4.66wt%。
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