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龙图腾网获悉沈金菊申请的专利一种SAR ADC的高速低功耗比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411626087.3，技术领域涉及：H03M1/38；该发明授权一种SAR ADC的高速低功耗比较器是由沈金菊;刘春华设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SAR ADC的高速低功耗比较器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SARADC的高速低功耗比较器，涉及模拟或数模混合集成电路技术领域；所述比较器包括预放大级和锁存级，预放大级的使能信号cp端接使能信号Ki，正输入端接差分输入正端信号vp，负输入端接差分输入负端信号vn，正输出端vop通过开关K1与锁存级的正输入端相连，负输出端von通过开关K2与锁存级的正输入端相连,所述开关K1和K2均由使能信号Ki控制；差分输入正端信号vp通过开关K3与锁存级的正输入端相连，差分输入负端信号vn通过开关K4与锁存级的正输入端相连,开关K3和K4均由使能信号Ki的反相信号Kim控制。本方案提高了预放大级的增益和带宽，从而同时提高了预放大级的速度和精度。

本发明授权一种SAR ADC的高速低功耗比较器在权利要求书中公布了：1.一种SARADC的高速低功耗比较器，包括预放大级和锁存级，其特征在于： 所述预放大级的使能信号cp端接使能信号Ki，正输入端接差分输入正端信号vp，负输入端接差分输入负端信号vn，正输出端vop通过开关K1与锁存级的正输入端相连，负输出端von通过开关K2与锁存级的正输入端相连,所述开关K1和K2均由使能信号Ki控制； 同时，差分输入正端信号vp通过开关K3与锁存级的正输入端相连，差分输入负端信号vn通过开关K4与锁存级的正输入端相连,所述开关K3和K4均由使能信号Ki的反相信号Kim控制； 所述预放大级包括尾电流源IB、差分输入NMOS管M1和M2、PMOS负载管M3和M4、以及NMOS管M5和M6；所述尾电流源IB受控于使能信号Ki，所述尾电流源IB的一端接地，另一端同时连接NMOS管M1和M2的源极； 当使能信号Ki为0时，尾电流源IB不使能，所述预放大级没有静态功耗； 当使能信号Ki为1时，尾电流源IB使能，所述尾电流源IB的一端接地，另一端同时连接预放大级的差分输入NMOS管M1和M2的源极； NMOS管M1和M2的栅极分别接差分输入正端信号vp和差分输入负端信号vn； NMOS管M1的漏极连接PMOS管M3的漏极和NMOS管M5的源极； NMOS管M2的漏极连接PMOS管M4的漏极和NMOS管M6的源极； PMOS管M3和M4的栅极分别与自身的漏极相连，PMOS管M3和M4的源极均与电源vdd相连； NMOS管M5和M6的漏极均与电源vdd相连； NMOS管M5的栅极与差分输入负端信号vn相连； NMOS管M6的栅极与差分输入正端信号vp相连； 所述预放大级的正输出端vop和负输出端von分别从NMOS管M1和NMOS管M2的漏极引出，并连接至所述锁存级的输入端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人沈金菊，其通讯地址为：610057 四川省成都市成华区欣然一街6号3栋2单元17楼3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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