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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种具有过温过载保护功能的LDO电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119597099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411825533.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种具有过温过载保护功能的LDO电路及其控制方法是由王发刚;庄华龙设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有过温过载保护功能的LDO电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有过温过载保护功能的LDO电路及其控制方法，包含误差放大器、电流偏置电路、电流采样电路、电压采样电路、LDO电路和限流电路。本发明通过对输出电流的检测和温度的检测，对LDO的输出电流进行控制，当输出软短路时通过限制输出电流来对LDO的功率进行限制，从而减少芯片发热；若芯片温度继续升高，输出电流的值会被逐渐减小；达到设置的温度阈值时，将LDO输出电流进一步限制，从而降低芯片的温升，保护芯片。

本发明授权一种具有过温过载保护功能的LDO电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种具有过温过载保护功能的LDO电路，其特征在于：包含误差放大器、电流偏置电路、电流采样电路、电压采样电路、LDO电路和限流电路，LDO电路包含PMOS管MP7、电阻R6、电阻R7和电容COUT，PMOS管MP7的源极连接电源VIN，PMOS管MP7的栅极与电流偏置电路的输出端和电流采样电路的输入端连接，PMOS管MP7的漏极与电阻R6的一端、电容COUT的一端和电压采样电路的第二输入端连接，电阻R6的另一端与电阻R7的一端连接并产生反馈电压FB，误差放大器的第一输入端连接反馈电压FB，误差放大器的第二输入端连接基准电压VREF1，误差放大器的输出端与电流偏置电路的输入端和限流电路的输出端连接，电流采样电路的输出端与电压采样电路的第一输入端连接并产生采样电流ISNS，电压采样电路的输出端产生采样电压VSNS，限流电路的第一输入端连接基准电压VREF2，限流电路的第二输入端连接采样电压VSNS，限流电路的第三输入端连接零温度系数的基准源VBG；所述限流电路包含PMOS管MP8、PMOS管MP9、PMOS管MP10、PMOS管MP11、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、电容C1、电阻R8、电阻R9、电阻R10、三极管Q3和三极管Q4，PMOS管MP8的源极连接电源VDDPRE，PMOS管MP8的栅极连接偏置电压Vbias，PMOS管MP8的漏极与PMOS管MP9的源极和PMOS管MP10的源极连接，PMOS管MP9的栅极作为限流电路的第一输入端并连接基准电压VREF2，PMOS管MP10的栅极作为限流电路的第二输入端并连接采样电压VSNS，PMOS管MP9的漏极与NMOS管MN6的漏极、NMOS管MN6的栅极和NMOS管MN7的栅极连接，PMOS管MP10的漏极与NMOS管MN7的漏极、电容C1的一端、三极管Q4的集电极和PMOS管MP11的栅极连接于节点B，PMOS管MP11的源极作为限流电路的输出端，三极管Q4的基极与电阻R9的一端和电阻R10的一端连接，电阻R9的另一端与三极管Q3的发射极连接于节点C，三极管Q3的基极连接零温度系数的基准源VBG，三极管Q3的集电极与NMOS管MN8的源极连接，NMOS管MN8的栅极连接电源VDDPRE，NMOS管MN8的漏极与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端连接电源VIN。

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