买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种增强型N面GaN基射频功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411531393.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种增强型N面GaN基射频功率器件及其制备方法是由宓珉瀚;温馨怡;周雨威;王瑞宁;龚灿设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型N面GaN基射频功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种增强型N面GaN基射频功率器件及其制备方法，器件包括：N面GaN缓冲层、N面AlGaN势垒层、插入层、N面GaN沟道层、沟槽、N面AlGaN帽层、源极结构、漏极结构和栅极，其中，N面GaN缓冲层、N面AlGaN势垒层、插入层和N面GaN沟道层自下而上依次设置；沟槽由N面GaN沟道层的上表面延伸至N面GaN沟道层的内部；N面AlGaN帽层由沟槽中延伸至N面GaN沟道层的部分上表面，且N面AlGaN帽层位于沟槽中的部分形成栅槽；栅极位于栅槽中。该器件可以通过控制N面GaN沟道层的厚度和N面AlGaN帽层的厚度调制栅极对2DEG的控制能力，该器件在更高的工作频率下具有更好的特性。

本发明授权一种增强型N面GaN基射频功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型N面GaN基射频功率器件，其特征在于，包括：N面GaN缓冲层3、N面AlGaN势垒层4、插入层5、N面GaN沟道层6、沟槽、N面AlGaN帽层7、源极结构、漏极结构和栅极12，其中， 所述N面GaN缓冲层3、所述N面AlGaN势垒层4、所述插入层5和所述N面GaN沟道层6自下而上依次设置； 所述沟槽由所述N面GaN沟道层6的上表面延伸至所述N面GaN沟道层6的内部； 所述N面AlGaN帽层7由所述沟槽中延伸至所述N面GaN沟道层6的部分上表面，且所述N面AlGaN帽层7位于所述沟槽中的部分形成栅槽； 所述源极结构位于所述N面AlGaN帽层7的一侧，且由所述N面GaN沟道层6的上表面延伸至所述N面AlGaN势垒层4的下表面； 所述漏极结构位于所述N面AlGaN帽层7的另一侧，且由所述N面GaN沟道层6的上表面延伸至所述N面AlGaN势垒层4的下表面； 所述栅极12位于所述栅槽中； 所述源极结构包括：源极掺杂层8和源电极10，其中， 所述源极掺杂层8由N面GaN沟道层6的上表面延伸至所述N面AlGaN势垒层4的下表面； 所述源电极10位于所述源极掺杂层8的上表面； 所述漏极结构包括：漏极掺杂层9和漏电极11，其中， 所述漏极掺杂层9由N面GaN沟道层6的上表面延伸至所述N面AlGaN势垒层4的下表面； 所述漏电极11位于所述漏极掺杂层9的上表面； 所述源极掺杂层8的厚度大于所述N面AlGaN势垒层4、所述插入层5和所述N面GaN沟道层6的厚度之和； 所述漏极掺杂层9的厚度大于所述N面AlGaN势垒层4、所述插入层5和所述N面GaN沟道层6的厚度之和； 所述N面GaN缓冲层3和所述N面AlGaN势垒层4的界面处设置有Si离子掺杂区14。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。