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龙图腾网获悉福州大学申请的专利适用于噪声整形SAR ADC的混合嵌套噪声整形架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119675664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411741452.5，技术领域涉及：H03M1/08；该发明授权适用于噪声整形SAR ADC的混合嵌套噪声整形架构是由胡炜;李嘉琦;吴春霖设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于噪声整形SAR ADC的混合嵌套噪声整形架构在说明书摘要公布了：本发明提出适用于噪声整形SARADC的新型混合嵌套噪声整形架构，所述整形架构采用动态工作的闭环共源共栅FIA作为残差放大器，以通过消除放大器的静态电流、去除增益校准电路来降低功耗；整形架构通过相嵌套的二阶CIFF和二阶EF噪声整形环路来执行四阶噪声整形，以在相同过采样率的噪声整形时达到高精度，所述整形架构通过集成采样噪声消除SNC方法来减小采样电容的容值以节省芯片面积；本发明该架构采用闭环共源共栅FIA作为残差放大器、通过CIFF和EF作为噪声整形环路，以解决传统噪声整形SARADC难以同时实现高精度和低功耗的问题。此外，还集成了采样噪声消除samplingKTCnoisecancellation,SNC技术，以减小采样电容的容值，节省芯片面积。

本发明授权适用于噪声整形SAR ADC的混合嵌套噪声整形架构在权利要求书中公布了：1.适用于噪声整形SARADC的混合嵌套噪声整形架构，其特征在于：所述整形架构采用动态工作的闭环共源共栅FIA作为残差放大器，以通过消除放大器的静态电流、去除增益校准电路来降低功耗；整形架构通过相嵌套的二阶CIFF和二阶EF噪声整形环路来执行四阶噪声整形，以在相同过采样率的噪声整形时达到高精度，所述整形架构通过集成采样噪声消除SNC方法来减小采样电容的容值以节省芯片面积； 所述整形架构的顶层电路包括CIFF噪声整形环路CIFFloop、EF噪声整形环路EFloop、残差放大器和采样噪声消除模块SNC；顶层电路通过端口VDACN、VDACP与SARADC的电容式数模转换器CDAC相接，通过端口VP、VN与SARADC的比较器相接； 所述整形架构的噪声整形工作流程具体为：首先SARADC采样噪声电压通过VDACP和VDACN端口传递到SNC电路中使其被抵消，之后将SARADC量化后得到的当前周期残差电压输入到混合嵌套噪声整形架构中，通过其中的残差放大器放大，然后将放大后的残差电压分别输入到CIFF和EF噪声整形环路；最后CIFF和EF噪声整形环路的输出电压分别通过VP、VN和VDACP、VDACN端口传输回SARADC中，实现噪声整形的功能； 所述残差放大器输入电压信号为VDACP和VDACN，输出为VOP和VON；在输入信号经过SARADC量化之后得到当前周期的残差电压，该残差电压被残差放大器放大后输入到CIFF和EF噪声整形环路中； 所述SNC电路独立于混合嵌套噪声整形架构中的其余部分，其包括多个电容和开关； 在整形架构的采样噪声消除模块SNC部分，若采样KTC噪声无法被整形，则全部传递到输出端，以大的采样电容来减小采样KTC噪声，通过使用SNC技术来减小采样KTC噪声，以在精度要求相同的情况下使用更小的采样电容，减少电路的面积开销，同时使ADC更易于被前级电路驱动；SNC的工作过程包括提取阶段和消除阶段。

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