福州大学;闽都创新实验室吴炯桦获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学;闽都创新实验室申请的专利一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510002013.0，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由吴炯桦;程灿;程树英;邓辉设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池从顶部到底部依次由Au电极、Spiro‑OMeTAD空穴传输层、钙钛矿吸光层、SnO2电子传输层和FTO衬底组成；利用柠檬酸与氧化锡之间的强烈作用将其代替传统工艺中作为络合剂的巯基乙酸TGA，并达到改善氧化锡界面的效果，使氧化锡层具有更好的电子传输能力。该太阳能电池提高了钙钛矿太阳能电池器件的开路电压，从而提高了器件性能。
本发明授权一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池从顶部到底部依次由Au电极、Spiro-OMeTAD空穴传输层、钙钛矿吸光层、SnO2电子传输层和FTO衬底组成； 所述的一种基于化学浴沉积法制备氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤： 1清洗FTO衬底，后用氮气吹干，得到洁净的衬底； 2制备前驱体溶液后，利用化学浴沉积法制备氧化锡层，再使用溶液浸泡法处理后退火得到SnO2电子传输层； 3在SnO2薄膜上制备钙钛矿层，利用反溶剂法制备钙钛矿前驱膜，退火后得到结晶性良好的钙钛矿吸光层； 4在钙钛矿层上利用旋涂法制备Spiro-OMeTAD空穴传输层； 5利用真空蒸镀技术在Spiro-OMeTAD空穴传输层上沉积Au电极； 步骤2中，所述前驱体溶液包括SnCl2·2H2O、柠檬酸、尿素和HCl； 步骤2中，所述的溶液浸泡法的溶液为KIO3水溶液。
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