中国科学院上海硅酸盐研究所梁瑞虹获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119912259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311427852.4，技术领域涉及：C04B35/493；该发明授权一种兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料及其制备方法是由梁瑞虹;过少萍;张文斌;施立志设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料及其制备方法。所述PZT基压电陶瓷材料的化学组成为：Pb1‑2n‑1.5xLaxSrnBanZryTi1‑yO3‑zwt％Sn，其中0.004≤x≤0.007,0.52≤y≤0.6,0.3≤z≤0.7,0.01≤n≤0.04。所述PZT基压电陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1配料；2煅烧；3造粒；4排塑、烧结。
本发明授权一种兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料，其特征在于，所述PZT基压电陶瓷材料的化学组成为：Pb1-2n-1.5xLaxSrnBanZryTi1-yO-zwt%Sn，其中0.004≤x≤0.007,0.52≤y≤0.6,0.3≤z≤0.7,0.01≤n≤0.04； 所述PZT基压电陶瓷材料的制备方法包括： 1以Pb源、Zr源、Ti源、Sr源、Ba源、La源和Sn源按照所述PZT基压电陶瓷材料的化学组成计量比称量并混合，得到原料粉体； 2将原料粉体煅烧，得到合成粉体； 3将合成粉体与粘结剂混合并造粒，经成型得到陶瓷素坯； 4陶瓷素坯经排塑、烧结，得到所述兼具低电场下大电致应变和高居里温度的PZT基压电陶瓷材料；所述烧结的温度为1280～1300℃，时间为2～4小时，升温速率为1.5～3℃分钟。
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