西安电子科技大学张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510078414.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法是由张涛;陈嘉豪;苏华科;许晟瑞;张进成设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括：从下到上依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、沟道层和帽层；凹槽，从帽层的上表面中间区域向下延伸，并贯穿帽层到沟道层内，凹槽的形状为多台阶型凹槽、V型凹槽或倒梯形凹槽；源电极，形成于凹槽一侧的帽层上；漏电极，形成于凹槽另一侧的帽层上；栅电极，形成于凹槽中并与沟道层接触。采用多台阶凹槽栅、V型凹槽栅和倒梯形凹槽栅能够优化栅极与漏极之间的电场分布，缓解局部高电场，拓宽了器件在高电压和高功率应用领域的应用；在实现增强型P沟道场效应管的基础上增大了输出电流，提升了P沟道场效应管在高频、高功率应用中的性能和可靠性。
本发明授权多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多台阶与V型凹槽栅氮化镓P沟道场效应管，其特征在于，包括从下到上依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、沟道层和帽层； 凹槽，从所述帽层的上表面中间区域向下延伸，并贯穿所述帽层到所述沟道层内，所述凹槽的形状为多台阶型凹槽、V型凹槽或者倒梯形凹槽； 源电极，形成于所述凹槽一侧的所述帽层上； 漏电极，形成于所述凹槽另一侧的所述帽层上，所述源电极和所述漏电极与所述帽层的接触类型为欧姆接触； 栅电极，形成于所述凹槽中并与所述沟道层接触，所述栅电极的上表面所在水平面低于所述沟道层的上表面所在水平面，所述栅电极与所述沟道层的接触类型为肖特基接触； 所述多台阶型凹槽的每个台阶的宽度相同，所述V型凹槽和所述倒梯形凹槽的倾斜角度均大于0°且小于90°。
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