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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510111002.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法是由冯欣;宋苏文;周弘;任泽阳;张苇杭;董鹏飞;吴银河;刘先河;刘志宏;张进成设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法，主要解决现有技术难以实现精准可控掺杂的问题。方案包括：绝缘衬底，二维材料沟道层，位于二维材料沟道层两端之上的源电极与漏电极，位于二维材料沟道层与源漏电极之上的栅介质层，位于栅介质之上的栅电极；通过沉积一层厚层掩模层，经光刻与刻蚀将掩模层部分打薄形成图案化薄层，透过处理后的掩模层离子轰击二维材料，掩膜板薄层下的二维材料形成表面空位，再去除掩膜板，将二维材料暴露在氧气流中氧化形成表面电荷转移掺杂。本发明能够在不对二维材料产生破坏影响性能的情况下，实现分区可控掺杂，有效提高二维晶体管的导电性能。

本发明授权基于空位的可控掺杂p型二维晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于空位的可控掺杂p型二维晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： §1：选取目标衬底，分别利用丙酮、异丙醇、去离子水对其表面进行超声清洗，再用氮气吹干，得到表面清洁的绝缘衬底1； §2：使用化学气相沉积在基底表面生长待转移的二维材料薄膜； §3：利用PMMA辅助转移法将生长得到的二维材料薄膜转移至绝缘衬底1上； §4：对绝缘衬底1上转移后的二维材料经过涂胶、前烘、光刻、显影，再刻蚀出隔离区以阵列化二维材料，得到晶体管的待掺杂的二维材料沟道层； §5：在步骤§4得到的二维材料表面上通过等离子体增强化学气相沉积二氧化硅层； §6：在二氧化硅层的表面匀涂光刻胶，经过前烘、光刻、刻蚀，将待掺杂的二维材料区域上方的二氧化硅层刻蚀成二氧化硅薄层； §7：通过高能氢离子隔着二氧化硅掩模层轰击二维材料表面制造出精准分区的二维材料表面空位，根据不同功率与处理时间获取可控的空位数量； §8：通过湿法刻蚀去除二氧化硅掩膜层； §9：将制造了表面空位的二维材料暴露在氧气流中进行氧化，实现精准可控的表面电荷转移掺杂，得到晶体管的二维材料沟道层2； §10：对步骤§9得到的二维材料沟道层2表面通过光刻、电子束蒸发，沉积源漏电极金属，沉积完金属后，经过剥离工艺形成源电极3与漏电极4； §11：在二维材料沟道层2、源电极3与漏电极4的表面通过磁控溅射氧化铝、氮化铝或氮化硅，得到栅介质层5； §12：在栅介质层5表面通过光刻、电子束蒸发沉积栅极金属与剥离工艺制备栅电极6； §13：通过光刻对源电极、漏电极上方的区域进行图案化处理，然后刻蚀栅介质层以暴露出源漏电极，完成器件的制作。

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