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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利用于确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120032688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510082433.4，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权用于确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态的电路是由乔树山;赵鹏远;赵慧冬;贾明龙;李林楠设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态的电路在说明书摘要公布了：本公开提供了一种用于确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态的电路，可以应用于集成电路设计技术领域。该电路包括：输入单元，输入单元用于基于接收到的待写入信号生成输入信号，其中，输入信号的幅度与待写入信号与静态随机存取存储器当前访问的存储单元当前存储数据之间的大小关系相关，其中，当前存储数据为在先写入信号；使能控制单元，包括多个晶体管，使能控制单元用于根据接收到的使能信号与输入信号控制多个晶体管各自的导通状态；输出单元，包括反相器，输出单元用于根据多个晶体管各自的导通状态确定反相器的输入电压，反相器被配置为根据输入电压与预定阈值输出目标信号，以确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态。

本发明授权用于确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态的电路在权利要求书中公布了：1.一种用于确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态的电路，其特征在于，包括： 输入单元，所述输入单元用于基于接收到的待写入信号生成输入信号，其中，所述输入信号的幅度与所述待写入信号与所述静态随机存取存储器当前访问的存储单元当前存储数据之间的大小关系相关，所述当前存储数据为在先写入信号； 使能控制单元，包括多个晶体管，所述使能控制单元用于根据接收到的使能信号与所述输入信号控制所述多个晶体管各自的导通状态； 输出单元，包括反相器，所述输出单元用于根据所述多个晶体管各自的导通状态确定所述反相器的输入电压，所述反相器被配置为根据所述输入电压与预定阈值输出目标信号，以确定静态随机存取存储器的写辅助电路使能状态； 所述输入单元包括第一与非门、第二与非门、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管；所述第一与非门的输入端用于接收预充信号与待写入信号，且所述第一与非门的输出端连接至所述第七PMOS晶体管的栅极，所述第二与非门的输入端用于接收预充信号与待写入信号的反相信号，且所述第二与非门的输出端连接至所述第八PMOS晶体管的栅极，所述第七PMOS晶体管的源极与第八PMOS晶体管的源极用于生成所述输入信号。

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