华南师范大学郭志友获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种采用梯度组分ScAIN插入层的垂直型GaN HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510186403.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种采用梯度组分ScAIN插入层的垂直型GaN HEMT及其制备方法是由郭志友;张元昊;孙慧卿;李渊;吕瑞鹏;刘圳;杨隆飞设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用梯度组分ScAIN插入层的垂直型GaN HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用梯度组分ScAlN插入层的垂直型GaNHEMT及其制备方法，其包括设置于衬底第一表面上的GaN缓冲层；分别设置于缓冲层两侧边缘的第一电流阻挡层区域和第二电流阻挡层区域；设置于第一电流阻挡层区域部分表面的源极；层叠设置于缓冲层上的GaN层、梯度组分ScAlN插入层、渐变AlGaN势垒层、帽层，栅极设置于帽层上，漏极设置于衬底的第二表面上；该器件在垂直HEMT器件结构的基础上，层叠设置GaN通道层、梯度组分ScAlN插入层及渐变AlGaN势垒层优化了器件的电子迁移率、电子浓度分布，提升了器件的线性度，尤其是在高功率环境下的表现。
本发明授权一种采用梯度组分ScAIN插入层的垂直型GaN HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用梯度组分ScAlN插入层的垂直型GaNHEMT，其特征在于，包括， 具有相对设置的第一表面和第二表面的衬底； 设置于衬底的第一表面上的GaN缓冲层； 分别设置于缓冲层两侧边缘的第一电流阻挡层区域和第二电流阻挡层区域，沿缓冲层的表面延伸至缓冲层中一定深度； 依次层叠于缓冲层上的GaN通道层、梯度组分ScAlN插入层、渐变AlGaN势垒层和帽层，梯度组分ScAlN插入层的Sc组分为10%~30%，Sc组分沿衬底指向缓冲层的方向上依次等间隔增大，渐变AlGaN势垒层的Al组分沿衬底指向缓冲层的方向上由40%渐变为10%； 栅极设置于帽层上； 沿帽层至第一电流阻挡层区域的部分表面设置有源极凹槽，源极设置于源极凹槽中； 钝化层设置于渐变AlGaN势垒层表面，位于源极和栅极之间； 漏极设置于衬底的第二表面上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学，其通讯地址为：510635 广东省广州市天河区中山大道西55号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励