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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120600629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510638439.5，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备是由刘明悬;史小平设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，包括提供待刻蚀结构，待刻蚀结构包括衬底和依次形成于衬底上的转移层和图案化芯轴层；在图案化芯轴层的各芯轴两侧形成侧墙；去除图案化芯轴层；以侧墙为掩膜，对转移层进行刻蚀以得到转移图形；以转移图形为掩膜，对衬底进行刻蚀；在芯轴的实际宽度大于第一预定宽度时，使侧墙的实际宽度小于第二预定宽度，并使转移图形靠近衬底的一端的宽度大于靠近侧墙一端的宽度；或者，在芯轴的实际宽度小于第一预定宽度时，使侧墙的实际宽度大于第二预定宽度，并使转移图形靠近衬底的一端的宽度小于靠近侧墙一端的宽度。

本发明授权衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种衬底的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括衬底和依次形成于所述衬底上的转移层和图案化芯轴层； 在所述图案化芯轴层的各芯轴两侧形成侧墙； 去除所述图案化芯轴层； 以所述侧墙为掩膜，对所述转移层进行刻蚀以得到转移图形； 以所述转移图形为掩膜，对所述衬底进行刻蚀； 其中，在形成所述图案化芯轴层之后，对所述图案化芯轴层的芯轴的实际宽度进行测量，且在所述芯轴的实际宽度大于第一预定宽度时，使所述侧墙的实际宽度小于第二预定宽度，并使所述转移图形靠近所述衬底的一端的宽度大于靠近所述侧墙一端的宽度，以防止位于相邻的两个所述芯轴之间的两个所述侧墙之间的间距，小于位于同一所述芯轴相对两侧的两个所述侧墙之间的间距；或者， 在形成所述图案化芯轴层之后，对所述图案化芯轴层的芯轴的实际宽度进行测量，且在所述芯轴的实际宽度小于所述第一预定宽度时，使所述侧墙的实际宽度大于所述第二预定宽度，并使所述转移图形靠近所述衬底的一端的宽度小于靠近所述侧墙一端的宽度，以防止位于相邻的两个所述芯轴之间的两个所述侧墙之间的间距，大于位于同一所述芯轴相对两侧的两个所述侧墙之间的间距。

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