季华实验室田敏获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利异质外延五氧化二铌薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120866771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511396389.0，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权异质外延五氧化二铌薄膜及其制备方法和应用是由田敏;熊婷;卢秋虹;姜传斌;马永会设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质外延五氧化二铌薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质外延五氧化二铌薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜沉积技术领域。制备方法包括：将衬底和靶材置于真空系统中，通过脉冲激光轰击靶材，在衬底表面沉积得到初始异质外延五氧化二铌薄膜；对初始异质外延五氧化二铌薄膜进行退火处理得到异质外延五氧化二铌薄膜。利用脉冲激光沉积系统生长单晶的异质外延五氧化二铌薄膜，沉积薄膜的速率快，重复性好，制备得到的薄膜可以和靶材保持高度一致的纯度和化学计量比，还能在纳米尺寸上进行工艺控制，将薄膜的厚度调整到纳米级，而且制备方法简单，靶材可以重复利用，可以灵活调控生长参数、实时监控薄膜的生长状态，获得高质量的异质界面结构。
本发明授权异质外延五氧化二铌薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种异质外延五氧化二铌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将衬底和靶材置于真空系统中； 通过脉冲激光轰击靶材，在所述衬底表面沉积得到初始异质外延五氧化二铌薄膜；完成所述初始异质外延五氧化二铌薄膜的沉积后，保温13min~16min； 对所述初始异质外延五氧化二铌薄膜进行退火处理得到异质外延五氧化二铌薄膜； 所述脉冲激光的波长为248nm； 所述衬底的材质包括钛酸锶、铝酸镧中的至少一种； 所述衬底的取向为100； 所述脉冲激光的能量为200mJ~300mJ； 所述脉冲激光的频率为4Hz~6Hz； 所述脉冲激光的强度为1Jcm2~3Jcm2； 所述退火的温度为750℃~850℃，所述退火的时间为8h~10h。
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