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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121065652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511172235.3，技术领域涉及：C23C14/50；该发明授权半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺是由涂天佑设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺，涉及半导体技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载组件和遮挡组件，遮挡组件包括驱动结构、第一遮挡环和第二遮挡环，第一遮挡环沿其周向包括多个弧形的遮挡段，驱动结构连接于各遮挡段，配置为：驱动遮挡段径向运动；第一遮挡环、第二遮挡环和晶圆共轴设置，且被配置为：第二遮挡环的环内径大于第一遮挡环的环内径，且能够连续进行两个沉积周期，且第一沉积周期和第二沉积周期中，第一遮挡环、第二遮挡环两者及相应环内壁沉积的膜层形成的第一遮挡结构、第二遮挡结构依次遮挡于晶圆的边缘无效区上方。该半导体工艺腔室能够降低半导体工艺腔室的开腔清洗维护频率，提高其维护便捷度及产能。

本发明授权半导体工艺腔室及薄膜沉积工艺在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积工艺，其特征在于，采用的半导体工艺腔室包括：腔室本体100，内部具有腔体110； 承载组件200，设于所述腔体110内，所述承载组件200配置为：承载晶圆10； 遮挡组件300，包括设于腔室本体100的驱动结构310和设于所述腔体110内的第一遮挡环320、第二遮挡环330，所述第一遮挡环320沿其周向包括多个弧形的遮挡段321，所述驱动结构310连接于各所述遮挡段321，配置为：驱动所述遮挡段321沿径向远离所述第一遮挡环320的轴心运动；其中，所述第一遮挡环320、所述第二遮挡环330和晶圆10共轴设置，且被配置为：所述第二遮挡环330的环内径大于所述第一遮挡环320的环内径，且能够连续进行两个沉积周期，其中，第一沉积周期中，所述第一遮挡环320及其环内壁沉积的膜层形成的第一遮挡结构30A遮挡于所述晶圆10的边缘无效区12上方；第二沉积周期中，所述第二遮挡环330及其环内壁沉积的膜层形成的第二遮挡结构30B遮挡于所述晶圆10的边缘无效区12上方；所述薄膜沉积工艺包括： 第一沉积步：对承载于承载基座210的晶圆10进行薄膜沉积第一预设时长，其中，第一遮挡环320及其环内壁沉积的膜层形成第一遮挡结构30A，第二遮挡环330及其环内壁沉积的膜层形成第二遮挡结构30B； 调节步：调节第一遮挡结构30A的遮挡段321沿径向远离其轴心运动，直至避开第二遮挡结构30B围成的环内区域； 第二沉积步：对承载于承载基座210的晶圆10进行薄膜沉积第二预设时长。

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