青岛科技大学赵璐获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛科技大学申请的专利一种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器的构建和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121141771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511142129.0，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器的构建和应用是由赵璐;丁彩凤;宋先震;苏雅婷设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器的构建和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器的构建和应用，属于光电化学、分析化学、材料科学技术领域。在本发明中，L‑色氨酸和抗坏血酸在给定电压下反应以产生H2O2，生成的H2O2可蚀刻NaF4:Eu3+@Ag的外部Ag壳，释放发光体NaF4:Eu3+，实现信号自开启。当存在肌细胞生成素抗原时，由于其与肌细胞生成素适配体之间的特异性结合，连接L‑色氨酸的适配体从电极表面脱落。因此，H2O2的生成被中断，从而终止了Ag壳的蚀刻，导致信号关闭。基于此，构建的适体传感器可在1pgmL～10μgmL的宽浓度范围内实现对肌细胞生成素的灵敏检测，检出限为296.15fgmL。这种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的策略扩展了自开型传感器的构建方法，为早期横纹肌肉瘤的诊断提供了有效参考。
本发明授权一种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器的构建和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器的构建方法，其特征在于，用Al2O3粉末对玻碳电极表面进行抛光处理；将5μL的Au@Pt溶液滴加到抛光后的电极表面；将6~10μL浓度为10mgmL的NaF4:Eu3+@Ag滴加到修饰后的电极表面；继续修饰5μL浓度为50μM的肌细胞生成素适配体的互补DNA；滴加5μL修饰L-色氨酸的肌细胞生成素适配体，在4℃下孵育2h，构建了基于界面氧化诱导H2O2蚀刻的自开型适体传感器；所述NaF4:Eu3+@Ag，为核壳结构的NaF4:Eu3+@Ag，其中Ag为Ag壳。
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