杭州富芯半导体有限公司吴建波获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511700937.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件是由吴建波;崔卫刚设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件，该方法包括：提供导电型半导体衬底；执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中设定区域注入导电型离子，并执行热退火，形成缓冲层；在所述形成有缓冲层的半导体衬底上形成外延层；在所述形成有外延层的半导体衬底上形成第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构，其中，所述第二沟槽隔离结构用于在所述半导体衬底隔离BCD的不同器件；其中，所述第二沟槽隔离结构的沟槽深度至少至所述缓冲层，所述第二沟槽隔离结构底部的缓冲层用于改善BCD器件间的耐压性能。此种方式将离子注入工艺和热退火工艺提前，减少了BCD器件制备过程中所存在的缺陷，提升BCD器件的电性稳定性。
本发明授权一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种BCD半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供导电型半导体衬底； 执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中设定深度区域注入导电型离子，并执行热退火，形成缓冲层； 在所述形成有缓冲层的半导体衬底上形成外延层； 在所述形成有外延层的半导体衬底上形成第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构，其中，所述第二沟槽隔离结构用于在所述半导体衬底隔离BCD的不同器件； 其中，所述第二沟槽隔离结构的沟槽深度至少至所述缓冲层，所述第二沟槽隔离结构底部的缓冲层用于改善BCD器件间的耐压性能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励