通威太阳能(成都)有限公司刘旭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511755887.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件是由刘旭设计研发完成，并于2025-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳电池领域，公开一种防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件。所述防外延层应用于异质结太阳电池，所述制备方法包括：向具有硅基底的环境中通入硅氢化合物类气源进行气相沉积，并在所述气相沉积的过程中施加第一偏置电压和第二偏置电压，以在所述硅基底的表面制备所述防外延层；其中，所述第一偏置电压被配置为产生电场，所述第二偏置电压被配置为对所述第一偏置电压产生的电场分布进行均匀化调控；其中，所述硅氢化合物类气源的结构式包括SinH2n+2，n为大于或者等于2的正整数。采用本申请的制备方法能够制备得到膜层质量较高防外延层，能够有效优化异质结太阳电池的光电转化效率。
本发明授权防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种防外延层的制备方法，其特征在于，所述防外延层应用于异质结太阳电池，所述制备方法包括： 向具有硅基底的环境中通入硅氢化合物类气源进行气相沉积，并在所述气相沉积的过程中施加第一偏置电压和第二偏置电压，以在所述硅基底的表面制备所述防外延层； 其中，所述第一偏置电压被配置为产生电场，所述第二偏置电压被配置为对所述第一偏置电压产生的电场分布进行均匀化调控； 其中，所述硅氢化合物类气源的结构式包括SinH2n+2，n为大于或者等于2的正整数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新综合保税区双流园区综保横路一段；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励