甬江实验室邬苏东获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利降低金刚石拼接缝缺陷密度的生长方法以及大尺寸单晶金刚石获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121250547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511804344.2，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权降低金刚石拼接缝缺陷密度的生长方法以及大尺寸单晶金刚石是由邬苏东;朱彤;夏岳;孔祥鹏设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低金刚石拼接缝缺陷密度的生长方法以及大尺寸单晶金刚石在说明书摘要公布了：本发明涉及一种降低金刚石拼接缝缺陷密度的生长方法以及大尺寸单晶金刚石，其中，所述生长方法包括：提供由马赛克拼接法拼接好的单晶金刚石片；将所述单晶金刚石片置于微波等离子体化学气相沉积系统中进行第一次生长，得到大尺寸单晶金刚石预制片，其中，所述第一次生长时的工艺条件包括：通入的碳源比例为8%~10%，氮气浓度在30ppm以上，压力为10KPa~20KPa，微波功率为4000W~6000W，生长温度为1000℃~1100℃；然后降低碳源比例，停止通入氮气，降低微波功率和生长温度，对所述大尺寸单晶金刚石预制片进行第二次生长，得到大尺寸单晶金刚石。本发明通过两次生长工艺的控制即可制备得到大尺寸且高品质的单晶金刚石。
本发明授权降低金刚石拼接缝缺陷密度的生长方法以及大尺寸单晶金刚石在权利要求书中公布了：1.一种降低金刚石拼接缝缺陷密度的生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供由马赛克拼接法拼接好的单晶金刚石片； 将所述单晶金刚石片置于微波等离子体化学气相沉积系统中进行第一次生长，得到大尺寸单晶金刚石预制片，其中，所述第一次生长时的工艺条件包括：通入的碳源比例为8%~10%，氮气浓度在30ppm以上，压力为10KPa~20KPa，微波功率为4000W~6000W，生长温度为1000℃~1100℃，所述第一次生长的速率在20μmh以上； 然后降低碳源比例，停止通入氮气，降低微波功率和生长温度，对所述大尺寸单晶金刚石预制片进行第二次生长，得到大尺寸单晶金刚石。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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