福建省金石能源股份有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511820878.4，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用是由林朝晖;林楷睿;曾清华;张超华设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于的背接触光伏电池技术领域，具体涉及一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用，包括在本征非晶硅层的背光面设置交替分布的N型掺杂区、P型掺杂区，且在N型掺杂区、P型掺杂区之间设置高浓度共掺杂区，该共掺杂区的掺杂源包含N型掺杂区的掺杂源磷和P型掺杂区的掺杂源硼，该共掺杂区与N型掺杂区、P型掺杂区的掺杂源形成特定浓度梯度结构，且该特定浓度梯度结构满足：共掺杂区中所含磷的掺杂浓度大于N型掺杂区中磷掺杂浓度，共掺杂区中所含硼的掺杂浓度大于P型掺杂区中硼掺杂浓度。本发明优化了载流子输运和收集效率，提高填充因子和开路电压，提高电池转换效率和稳定性，且制备工艺简单，无需多次刻蚀开口。
本发明授权一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池，其特征在于，该背接触光伏电池包括硅基底，在硅基底背光面设置本征非晶硅层，在本征非晶硅层的背光面设置交替分布的N型掺杂区、P型掺杂区，且在N型掺杂区、P型掺杂区之间设置高浓度共掺杂区，该共掺杂区的掺杂源包含N型掺杂区的掺杂源磷和P型掺杂区的掺杂源硼，该共掺杂区与N型掺杂区、P型掺杂区的掺杂源形成特定浓度梯度结构，且该特定浓度梯度结构满足：共掺杂区中所含磷的掺杂浓度大于N型掺杂区中磷掺杂浓度，共掺杂区中所含硼的掺杂浓度大于P型掺杂区中硼掺杂浓度；其中，共掺杂区中所含磷掺杂浓度、硼掺杂浓度各自独立地在2e19cm-3-5e23cm-3，N型掺杂区中磷掺杂浓度在2e18cm-3-8e22cm-3，P型掺杂区中硼掺杂浓度在2e18cm-3-8e22cm-3。
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