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龙图腾网获悉福建华清电子材料科技有限公司申请的专利一种多层氮化铝基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121285295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511833513.5，技术领域涉及：H10W70/692；该发明授权一种多层氮化铝基板的制备方法是由熊大康设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层氮化铝基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层氮化铝基板的制备方法，涉及氮化铝基板生产技术领域，包括：流延成型，将陶瓷浆料流延成生瓷片，生瓷片进行冲切，并在生瓷片上形成所需的连接通孔；填孔与电路印刷，使用导电浆料填充连接通孔，并在生瓷片表面印制电路；叠层与层压，将生瓷片叠放后进行静压层压，使各层生瓷片结合成多层基板生坯；排胶去除，多层基板生坯置于排胶炉中，逐步分解并排出粘结剂和增塑剂；高温共烧，将多层基板生坯转移至高温烧结炉进行烧结，形成多层氮化铝基板；基板处理，多层氮化铝基板进行外形加工、打磨和电镀。本发明实现了粘结剂和增塑剂等有机物的平缓、彻底分解与排出，确保多层氮化铝基板的致密性，从而降低了产品缺陷率。

本发明授权一种多层氮化铝基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层氮化铝基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、流延成型，将高纯度的氮化铝粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和增塑剂按预设比例进行混合，制备成均匀的陶瓷浆料，使用流延机将陶瓷浆料流延成所需厚度的生瓷片，干燥后将生瓷片按设计尺寸进行冲切，并使用激光打孔在生瓷片上形成所需的连接通孔； 步骤二、填孔与电路印刷，使用导电浆料填充连接通孔，并在生瓷片表面印制电路； 步骤三、叠层与层压，将印制好电路的生瓷片按设计顺序精确叠放，使各层生瓷片上的电路通过连接通孔内的导电浆料形成电性连接，在设定的温度和压力下进行静压层压，使各层生瓷片牢固地结合成一个整体的多层基板生坯； 步骤四、排胶去除，将多层基板生坯置于排胶炉中，缓慢升温，使生瓷片中的粘结剂和增塑剂逐步分解并排出，具体包括以下子步骤： N1、低温挥发脱除，将层压后的多层基板生坯置于排胶炉中，首先在通入惰性气体的惰性气氛保护下，由室温以0.5℃min-1.5℃min的升温速率加热至250℃-350℃，到达指定温度后，保温30分钟-90分钟，以去除多层基板生坯中的增塑剂； N2、粘结剂热解分解，在完成低温挥发脱除后，将排胶炉内惰性气氛切换为高纯氮气和氮氢混合气中的一种，气体流量提升至800sccm-1500sccm，并以0.1℃min-0.5℃min的极慢升温速率，从250℃-350℃加热至450℃-500℃，使粘结剂在惰性气氛下发生平缓的热分解； N3、微氧化除碳与残留物清除，在到达450℃-500℃后，保温60分钟-180分钟，在此保温期间，向排胶炉引入氧气，形成微氧化气氛，用以彻底清除热解过程中产生的碳残留； N4、气氛纯化，完成去除碳残留后，停止通入氧气，维持排胶炉内惰性气氛，并以0.5℃min-1.0℃min的升温速率，将炉内温度从450℃-500℃升至600℃-800℃，并在此温度下保温30分钟-60分钟； 步骤五、高温共烧，将完成排胶的多层基板生坯转移至高温烧结炉，进行烧结，形成多层氮化铝基板； 步骤六、基板处理，对烧结完成的多层氮化铝基板进行外形加工和打磨，并进行电镀以改善可焊性和抗氧化性。

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