芯联集成电路制造股份有限公司傅思宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882683.2，技术领域涉及：H04R1/08；该发明授权一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法是由傅思宇;陆晓龙;徐泽洋;姚阳文设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过在振膜结构下的衬底内设置沟槽隔离结构，实现在振膜结构下衬底最薄弱的地方增设高绝缘电阻，进而利用物理隔离避免振膜结构与衬底之间可能产生的漏电流路径，并进一步增大了振膜结构与衬底之间的漏电阻和降低了二者之间的寄生电容，以及弥补了第一牺牲层内形成圆角第一开口对隔离层，造成的损失所引起的振膜结构和衬底之间的漏电阻减小，和信噪比减低的问题。
本发明授权一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 形成多个间隔设置的沟槽隔离结构位于所述衬底内，其中形成所述多个间隔设置的沟槽隔离结构的步骤包括：形成多个沟槽位于所述衬底内，并形成至少填满所述多个沟槽的绝缘材料层； 形成自下而上依次层叠在所述衬底顶面上的隔离层和第一牺牲层； 移除部分所述第一牺牲层，以在所述第一牺牲层内形成第一开口，所述第一开口的顶角为圆角，所述第一开口位于所述沟槽隔离结构的上方，所述第一开口在水平方向上的外边缘位于所述沟槽隔离结构在水平方向上的外边缘之内； 形成共型覆盖在所述第一牺牲层上的振膜结构，所述振膜结构位于所述第一开口内，且所述第一开口在水平方向上的宽度小于位于其下方的沟槽隔离结构在水平方向上的宽度； 其中，所述振膜结构为复合结构，所述复合结构包括自下而上依次层叠的第一氮化物层、第二多晶硅层和第三氮化物层。
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