荣芯半导体(宁波)有限公司王东山获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种用于预测密封环剥离缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511894676.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种用于预测密封环剥离缺陷的方法是由王东山设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于预测密封环剥离缺陷的方法在说明书摘要公布了：一种用于预测密封环剥离缺陷的方法，该方法包括：提供已完成前段工艺且形成有密封环的晶圆；对所述晶圆进行至少一次退火处理，并在每次所述退火处理后对所述密封环执行缺陷检测；基于所述缺陷检测的检测结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷的风险。本发明能够在前段工艺中预测密封环在背照式工艺中发生剥离缺陷的风险，从而节约成本，提高良率。
本发明授权一种用于预测密封环剥离缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于预测密封环剥离缺陷的方法，用于背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述方法包括： 提供已完成前段工艺且形成有密封环的晶圆； 对所述晶圆进行至少一次退火处理，并在每次所述退火处理后对所述密封环执行缺陷检测； 基于所述缺陷检测的检测结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷的风险； 在对所述晶圆进行所述退火处理之前，还包括： 对所述晶圆的密封环执行初始缺陷检测，以获得初始检测结果； 所述基于所述缺陷检测的检测结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷的风险，包括： 将进行所述退火处理后的缺陷检测的检测结果与所述初始缺陷检测结果进行对比，以得到对比结果； 基于所述对比结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷的风险。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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