中核光电科技(上海)有限公司杨平辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中核光电科技(上海)有限公司申请的专利钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511902571.9，技术领域涉及：H10K71/15；该发明授权钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用是由杨平辉;郑德旭;吴飒建;杨坚铭设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明是关于一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用。所述钙钛矿太阳能电池为n‑i‑p型钙钛矿太阳能电池；所述钙钛矿薄膜通过两步旋涂法制得；其中，在第二次旋涂过程中加入结晶调控剂；所述结晶调控剂的原料包括：1,4‑丁二胺、4‑氨基苯甲酸和反溶剂。所要解决的技术问题是如何提供一种基于自上而下结晶的钙钛矿薄膜制备方法，能够使制得的钙钛矿薄膜的晶粒取向一致、缺陷密度低且表面平整，进而能够提高钙钛矿电池的光电转换效率。
本发明授权钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池为n-i-p型钙钛矿太阳能电池；所述钙钛矿薄膜通过两步旋涂法制得；其中，在第二次旋涂过程中加入结晶调控剂；所述结晶调控剂的原料包括：1,4-丁二胺、4-氨基苯甲酸和反溶剂； 所述1,4-丁二胺与所述4-氨基苯甲酸和所述反溶剂的摩尔比1：1：100； 所述反溶剂选自甲苯、乙酸乙酯、氯苯和苯甲醚中的任意一种或多种； 采用两步旋涂法制备所述钙钛矿薄膜，其制备方法包括： S1.配制钙钛矿前驱体溶液，然后将所述钙钛矿前驱体溶液滴涂于导电基底表面； S2.配制结晶调控剂，备用； S3.将滴涂有所述钙钛矿前驱体溶液的导电基底进行一次旋转，旋转速率为900～1100rpm，旋转时间为8～12s，旋转结束后进行二次旋转，旋转速率为4500～5500rpm，旋转8～10s，然后加入所述结晶调控剂，继续旋转10～12s，得到湿膜； S4.将得到的湿膜立即进行退火，得到所述钙钛矿薄膜。
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