福建省金石能源股份有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种低划伤背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511955601.2，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种低划伤背接触电池及其制备方法是由林朝晖;林楷睿;林锦山;张超华;杨清霖;吴远涛;皮文慧;郑少斌设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低划伤背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种低划伤背接触电池及其制备方法，包括如下步骤：S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S3、背面进行刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、制绒清洗；S5、在硅片正面依次形成第三半导体层和牺牲层；S6、对S5所得背面及第二半导体开口区进行槽式清洗，槽式清洗包括酸性溶液清洗、RCA清洗回洗，并在RCA清洗回洗中牺牲层被去除；S7、在背面沉积第二半导体层。本发明用槽式清洗方式取代链式清洗，能充分的去除背面绕镀层，并保护正面减反层不受腐蚀，不影响正面的减反效果，同时能避免硅片背面受机械损坏或污染，能提高整体钝化水平，减少背面划伤，提高填充因子和电池效率。
本发明授权一种低划伤背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低划伤背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供双面抛光的硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层； S3、在S2所得背面进行刻蚀开口，形成第二半导体开口区； S4、通过制绒清洗，去除第二半导体开口区内残留的掩膜层、第一半导体层，同时在硅片正面及第二半导体开口区上形成绒面，之后去除至少部分掩膜层； S5、在硅片正面依次形成第三半导体层和牺牲层，第三半导体层包含钝化层和减反层，牺牲层为非晶硅层、微晶硅层中的至少一种； S6、对S5所得背面及第二半导体开口区进行槽式清洗，槽式清洗包括依次进行的酸性溶液清洗、RCA清洗回洗，并在RCA清洗回洗中牺牲层被去除；RCA清洗回洗的过程包括依次进行的SC1清洗液清洗、一次水洗、SC2清洗液清洗、二次水洗、酸液清洗脱水； S7、在背面沉积第二半导体层。
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