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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512015422.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件是由段元淼;周紫薇;夏云;陈刚设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件，该器件包括元胞结构，元胞结构包括N+衬底、N‑漂移层和功能区；N‑漂移层位于N+衬底上；功能区嵌入N‑漂移层背离N+衬底的一侧，功能区包括两个子单元和第二N+源极区，子单元包括P+接触区、P型体区、第一N+源极区和第一沟槽栅结构；第一N+源极区位于P型体区上，第一沟槽位于P型体区与P+接触区之间，第一栅氧化层覆盖第一沟槽的内壁，第一栅氧化层内壁形成第一填充槽，第一栅极填充于第一填充槽内，P+接触区的P+屏蔽区覆盖第一栅氧化层的底部；两个子单元的第一沟槽栅结构之间具有第二N+源极区。该器件能够提升沟道的有效利用率，实现比导通电阻的进一步下降，且优化反向恢复时间长的问题。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括至少一个元胞结构，所述元胞结构包括N+衬底、N-漂移层、至少一个功能区、层间介质层、源极和漏极； 所述N-漂移层位于所述N+衬底上； 所述功能区嵌入所述N-漂移层背离所述N+衬底的一侧，所述功能区包括两个子单元和第二N+源极区，所述子单元包括P+接触区、P型体区、第一N+源极区和第一沟槽栅结构，所述第一沟槽栅结构包括第一沟槽、第一栅氧化层和第一栅极； 每个所述子单元中，所述第一N+源极区位于所述P型体区背离所述N+衬底的表面上，所述第一沟槽沿第一方向位于所述P型体区和所述第一N+源极区与所述P+接触区之间，所述第一栅氧化层覆盖于所述第一沟槽的内壁上、且与所述P型体区、第一N+源极区、所述P+接触区和所述N-漂移层接触，所述第一栅氧化层的内壁形成第一填充槽，所述第一栅极填充于所述第一填充槽内，所述P+接触区具有P+屏蔽区，所述P+屏蔽区覆盖位于所述第一沟槽底部上的第一栅氧化层； 所述两个子单元沿第二方向排列，两个所述子单元的所述第一沟槽栅结构之间具有所述第二N+源极区，所述第二方向与所述第一方向垂直； 所述源极位于所述N-漂移层背离所述N+衬底的一侧、且与所述P+接触区、第一N+源极区和第二N+源极区欧姆接触； 所述层间介质层位于所述N-漂移层与所述源极之间，用于将所述第一栅极与所述源极隔开； 所述漏极位于所述N+衬底背离所述N-漂移层的表面上。

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