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龙图腾网获悉安徽华晟新能源科技股份有限公司申请的专利一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511970811.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法是由刘兆彬;张良;高锦成;彭长涛;萧吉宏设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电池技术领域，尤其涉及一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法。主体为N型硅基底。正面设置硼扩散掺杂区、氧化铝钝化层、氮化硅减反层及电极。背面依次为：第一隧穿氧化层SiOx1与轻掺杂poly‑Sin+1；接触区上方有第二隧穿氧化层SiOx2和重掺杂poly‑Sin+2及激光氧化掩膜，经碱洗后非接触区poly‑Sin+2被去除，保留接触区双层polySiOx1poly‑Sin+1SiOx2poly‑Sin+2，降低接触电阻并阻挡银浆烧穿。非接触区仅留轻掺杂poly‑Sin+1，减少寄生吸收。

本发明授权一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池结构，其特征在于，包括：N型硅基底100、正面结构和背面结构，所述N型硅基底100，作为电池的主体衬底； 所述正面结构位于所述N型硅基底100的正面，从内向外依次设置有： 硼扩散掺杂区，所述硼扩散掺杂区包括硼扩散轻掺杂区101和硼扩散重掺杂区102；硼扩散掺杂区直接与N型硅基底接触； 氧化铝层103； 前侧氮化硅层104； 前侧电极105； 所述背面结构位于所述N型硅基底100的背面，从内向外依次设置有： 第一隧穿氧化层SiOx1201，覆盖电池背面，位于N型硅基底100与第一n型多晶硅层poly-Sin+1202之间； 第一n型多晶硅层poly-Sin+1202，覆盖电池背面，为轻掺杂n型多晶硅； 第二隧穿氧化层SiOx2203，设置于金属接触区域的第一n型多晶硅层poly-Sin+1202与第二n型多晶硅层poly-Sin+2204之间； 第二n型多晶硅层poly-Sin+2204，为重掺杂n型多晶硅； 后侧氮化硅层205； 后侧电极206；后侧电极位于金属接触区域上方，与第一n型多晶硅层poly-Sin+1接触。

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